国家/地区 韩国（154） 美国（144） 中国（33） 欧洲专利局（EPO）（32） 日本（25） 世界知识产权组织（7）
IPC部 C（174）
IPC大类 C01（134） H01（126） B82（64）
C23（64） B32（41） B01（26）
B05（18） C09（14） C08（11）
H05（11） G01（9） B44（7）
C30（6） G03（6） C25（5）
IPC小类 C01B（134） H01L（108） C23C（62）
B82Y（54） B32B（41） H01B（33）
B01J（23） B05D（18） B82B（17）
H01M（9） C09K（8） B44C（7）
C08K（7） G01N（7） H01J（7）
IPC C01B031/02（64） C01B031/04（61） B82Y040/00（42）
B82Y030/00（41） H01L021/02（40） C23C016/26（38）
H01L029/16（37） H01B001/04（26） C01B032/186（25）
B32B009/00（20） C23C016/02（17） H01L029/786（16）
H01L021/768（14） C01B032/182（13） H01L029/06（13）
发明人 SHIN H J（59） SHIN H（58） CHOI J（43）
CHOI J Y（36） LEE C（25） LEE J（25）
BYUN K（24） LEE C S（24） LEE J H（23）
YOON S（23） BYUN K E（21） SHIN K（21）
LEE E（19） SHIN K W（19） KIM S（17）
公开年 2014（26） 2013（21） 2011（19） 2012（18） 2021（18） 2022（13） 2023（11） 2016（9） 2017（9） 2009（8） 2020（8） 2015（7） 2010（4） 2018（3）
申请年 2011（25）  2012（20）  2013（18）  2021（16）  2010（15）  2020（14）  2022（14）  2014（11）  2015（10）  2016（10）  2008（7）  2009（4）  2017（4）  2019（4）  2018（2） 
专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD（174）

Hard mask film used in etching process for manufacturing semiconductor device, comprises first graphene layer, first amorphous carbon layer on first graphene layer, second graphene layer on first amorphous carbon layer, and second amorphous carbon layer on second graphene layer.

KIM Y, OH S, AN S, AHN S J, OH S R, KIM Y U, AN X

Ideal electronic device comprises coating layer coated on at least portion of surface of component, polymer and conductive filler, where conductive filler is graphene nano-tube.

HONG J M, JEONG M K, KO Y D, SHIN J E, SOO L J, JEONG K H

Chuck assembly used in semiconductor device fabrication system, comprises chuck base includes lower base and upper base that is on lower base, ceramic plate on upper base, and isolator ring enclosing outer sidewall of lower base.

JUNG U, SHIN M, SUNG D, NA D, KIM D, KIM K, JEONG S, JUNG S H, KIMKYUNGSUN, KIM D W, SUNG D Y, SU S M, JUNGUNGYO

Interconnect structure for electronic device, comprises first dielectric layer including trench, conductive wire filling inside of trench, first cap layer on top surface of conductive wire, first cap layer including doped graphene, and doped graphene being graphene doped with group fifth element.

JUNG A, KIM S, SHIN K, SHIN K W, KIM S T, JUNG A R

Metal particles used in adhesive paste or solder paste for composite bonding structure for semiconductor device, comprises core including metal and shell on surface of core, where shell comprises metal and nanoparticles.

CHU K, LEE J, JUNGHOON L, CHU K M

Graphene interconnect structure useful for electronic device comprises first oxide dielectric layer including porous silicon oxide, or amorphous boron nitride, second oxide dielectric layer including aluminum oxide and graphene layer.

KIM C, BYUN K E, SHIN K W, LEE C S, BAEKWON P, PARK B, LEE C, SHIN K, BYUN K

Positive electrode for lithium battery, has composite material comprising positive active material as core of composite material, and coating layer located on surface of positive active material forming shell on core of composite material.

CHANG W, KIM H, KIM S, GWON H, CHOI H

Substrate processing apparatus for manufacturing semiconductor device, comprises substrate support to support multiple substrates such that substrates are on substrate support, chamber sidewall surrounding side surface of substrate support, and upper plate having plate portions on substrate support.

OH S, AN S, LEE J, JEONG G, JUNG K O, LEE J H, AHN S J, OH S R

Manufacture of wiring used in electronic device, involves growing graphene layer on substrate using plasma of hydrocarbon at specific temperature by plasma enhanced chemical vapor deposition, and doping graphene layer with metal.

LEE C, LEE M, SHIN H, BYUN K, KIM K, SHIN K, SHIN K W, KIM K B, BYUN K E, SHIN H J, HYUN L, LEE C S

Layer structure for use in integrated circuit device, comprises lower layer, ion implantation layer in lower layer, and carbon-based material layer on ion implantation layer, and ion implantation layer includes carbon, and further has high electrical performance with ultra small structure.

YOO M, BYUN K, KIM S, LEE C, LEE C S, BYUN K E, YOO M S